规格书 |
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文档 |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 30 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 70A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 35 mOhm @ 35A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 86nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3970pF @ 25V |
功率 - 最大 | 417W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3PN |
包装材料 | Tube |
associated | EYGA121807A EYGA091203SM |
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